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Modélisation du transistor bipolaire intégré. Vol. 1. Dispositifs au silicium
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Modélisation du transistor bipolaire intégré. Vol. 1. Dispositifs au silicium

Cazenave, Philippe (1947-....)
Description des mécanismes de 1er ordre dans le transistor bipolaire. Donne la liste des phénomènes de 2e ordre, détaille le modèle dynamique homologue du modèle d'Ebers et Moll. Détaille l'étab... lire la suite

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Description des mécanismes de 1er ordre dans le transistor bipolaire. Donne la liste des phénomènes de 2e ordre, détaille le modèle dynamique homologue du modèle d'Ebers et Moll. Détaille l'établissement du modèle de Gummel et Poon et présente la version utilisateur H-SPICE. Présentation technologique des structures bipolaires intégrées au silicium.
9782746209879
100000 Produits

Auteur : Cazenave, Philippe (1947-....)

Date de parution : 14/10/2004

Éditeur : Lavoisier
Lavoisier-Hermès

Collection : Traité EGEM, Génie électrique

Classification : Technologie des communications

Série : Modélisation du transistor bipolaire intégré

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