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Modélisation du transistor bipolaire intégré. Vol. 2. Dispositifs à hétérojonctions
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Modélisation du transistor bipolaire intégré. Vol. 2. Dispositifs à hétérojonctions

Cazenave, Philippe (1947-....)
Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à re... lire la suite

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Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à remplacer le modèle traditionnel SPICE. Point sur les méthodes d'extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires.
9782746211728
100000 Produits

Auteur : Cazenave, Philippe (1947-....)

Date de parution : 17/10/2005

Éditeur : Lavoisier
Lavoisier-Hermès

Collection : Traité EGEM, Génie électrique

Classification : Technologie des communications

Série : Modélisation du transistor bipolaire intégré

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